Транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная
Ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода. Для изготовления Л. т. используются эпитаксиальные структуры р
+-р и n
+-n; базовая область Л. т. создаётся методом диффузии (см.
Эпитаксия, Полупроводниковая электроника)
. Особенность Л. т. - возможность получения отрицательного сопротивления (См.
Отрицательное сопротивление)
в цепи "эмиттер - коллектор" и быстрое нарастание силы тока в этой цепи. Л. т. применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать мощные импульсы тока (до нескольких
а) со временем нарастания импульса менее 10
-9 сек. Возможность генерирования Л. т. коротких импульсов с частотой повторения до 100
Мгц используется в устройствах совпадения импульсов и в стробоскопических
Осциллографах
. Наличие участка отрицательного сопротивления на вольтамперной характеристике Л. т. и малое эффективное значение времени пролёта носителей заряда от эмиттера к коллектору позволяют применять его также в генераторах и усилителях электрических колебаний дециметрового и сантиметрового диапазонов волн.